Pengaruh Waktu Pra-etching dan Ketebalan Film pada Residual Stress dari Thin Film Aluminium Nitrida pada Sensor Magnetoelektrik

Authors

  • Hafid Suharyadi PEM Akamigas, BPSDM ESDM, Kementerian ESDM

DOI:

https://doi.org/10.37525/mz/2019-1/229

Keywords:

aluminium nitrida, waktu pra-etching, ketebalan thin film, residual stress, koefisien piezoelektrik transversal

Abstract

Komposit magnetoelektrik (ME) terdiri dari lapisan piezoelektrik dan lapisan magnetoelektrik yang disusun secara bergantian. Masalah yang paling sering ditemukan pada hasil deposisi thin film aluminium nitrida (AlN) sebagai lapisan piezoelektrik adalah residual stress. Riset ini bertujuan untuk mengoptimalkan parameter deposisi AlN dalam menghasilkan film AlN dengan residual stress yang mendekati nol tanpa mengorbankan sifat mikrostruktural dan respon piezoelektrik.

Pengaruh waktu pra-etching dan ketebalan film AlN pada residual stress, mikrostruktural, dan respon piezoelektrik telah dipelajari, masing-masing melalui dengan stylus profilometer, difraktometri sinar-X, dan metode 4-point bending. Urutan lapisan film yang dideposisikan pada substrat Si/SiO2 adalah Ta/Pt/AlN. Metode pulsed DC reactive sputter telah dilakukan untuk mendeposisikan film AlN.

Pengaruh waktu pra-etching pada residual stress AlN tidak menunjukkan perubahan yang signifikan. Nilai residual stress dari film AlN semakin rendah dengan meningkatkan ketebalan film akibat dari peningkatan arah tumbuh preferensial dari kristal AlN. FWHM dari puncak AlN (0002) hampir konstan dalam rentang waktu pra-etching. Dengan meningkatnya ketebalan film, penurunan FWHM dikaitkan dengan pertumbuhan kristal berbentuk kolom yang lebih baik. Hal ini juga menghasilkan magnitudo dari nilai e31, f yang lebih tinggi.

References

Carter, G. 1994. “Peening in Ion-Assisted Thin-Film Deposition: A Generalized Model.” Journal of Physics D: Applied Physics 27(5):1046–55.
Dubois, Marc-Alexandre and Paul Muralt. 2001. “Stress and Piezoelectric Properties of Aluminum Nitride Thin Films Deposited onto Metal Electrodes by Pulsed Direct Current Reactive Sputtering.” Journal of Applied Physics 89(11):6389–95.
Eason, R. 2007. Pulsed Laser Deposition of Thin Films: Applications-Led Growth of Functional Materials. Wiley.
Gould, R. O. and W. Borchardt-Ott. 2011. Crystallography: An Introduction. Springer Berlin Heidelberg.
Hummel, R. E. 2012. Electronic Properties of Materials. Springer Berlin Heidelberg.
Jahns, Robert, S. Zabel, Stephan Marauska, B. Gojdka, B. Wagner, R. Knoechel, R. Adelung, and Franz Faupel. 2014. “Microelectromechanical Magnetic Field Sensor Based on ΔE Effect.” Applied Physics Letters 105:52414.
Kittel, C. 2004. Introduction to Solid State Physics. Wiley.
Madou, M. J. 2018. Fundamentals of Microfabrication: The Science of Miniaturization, Second Edition. CRC Press.
Martin, F., Paul Muralt, Marc-Alexandre Dubois, and Aurélie Pezous. 2004. Thickness Dependence of the Properties of Highly C-Axis Textured AlN Thin Films. Vol. 22.
Martinez Guerrero, Reynaldo and Jorge roberto Vargas-garcia. 2000. “Preparation of Aluminum Nitride Thin Films by CVD.” Materials and Manufacturing Processes - MATER MANUF PROCESS 15:259–67.
Ohring, M. 2001. Materials Science of Thin Films. Elsevier Science.
Sardela, M. 2014. Practical Materials Characterization. Springer New York.
Smith, D. L. 1995. Thin-Film Deposition: Principles and Practice. McGraw-Hill Education.
Uchino, K. 2010. Advanced Piezoelectric Materials: Science and Technology. Elsevier Science.

Published

2019-06-18

How to Cite

Suharyadi, H. . (2019). Pengaruh Waktu Pra-etching dan Ketebalan Film pada Residual Stress dari Thin Film Aluminium Nitrida pada Sensor Magnetoelektrik. Jurnal Nasional Pengelolaan Energi MigasZoom, 1(1), 61–72. https://doi.org/10.37525/mz/2019-1/229